这两个概念主要出半导体加工过程中,的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧---、氧化锆抛光等,除镍剂,但是得到的晶片表面损伤是极其---的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(cmp chemical mechanical polishing )取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛---率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛---率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。
温度。化学抛光时,溶解速度随着抛光液温度的提高而---地增加。此外,强氧化性酸(如浓、等)在高温时氧化作用也会---提高。在化学抛光时,由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生,故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等,若温度低于某一定值,六安化拋剂,就会出现无光的腐蚀表面,故存在一个形成光泽面的临界温度,在临界温度以上的一定温度范围内,抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围,会形成点蚀、局部污点或斑点,除磷剂,使整个抛光效果降低。此外温度越高,金属表面的溶解损失也越大
化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果,其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差,在化学抛光中,由于材料的不均匀,会引起局部电位高低不一,产生局部阴阳极区,形成局部短路的微电池,使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区,进行的电解,因此效果---。
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