化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果,其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差,在化学抛光中,由于材料的不均匀,会引起局部电位高低不一,产生局部阴阳极区,形成局部短路的微电池,使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区,进行的电解,因此效果---。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(cmp)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,南平化学抛光剂,即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得---的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,化学抛光剂厂家,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,化学抛光剂生产商,则表面产生高损伤层。
1、本抛光液在其使用初期会产生泡沫,因此抛光液液面与抛光槽顶部之间的距离不应***15cm;2、 不锈钢工件在进入抛光槽之前应尽可能将残留在工件表面的水分除去,因工件夹带过多水分有可能造成抛光面出现麻点,局部浸蚀而导致工件报废;3、在电解抛光过程中,作为阳极的不锈钢配件,因其所含的铁、铬元素不断转变为金属离子溶入抛光液内而不在阴极表面沉积。随着化学反应的进行,金属离子浓度会不断增加,当达到一定浓度后,这些金属离子以磷酸盐和---盐形式从抛光液内沉淀析出,化学抛光剂销售,沉降于抛光槽底部。因此抛光液必须定期过滤,去除这些固体沉淀物;4、在抛光槽反应过程中,除磷酸、---不断消耗外,水分因蒸发和电解而损失,此外,高粘度抛光液不断被工件夹带损失,抛光液液面不断下降,需经常往抛光槽补加抛光液和水;5、本产品中和后排放符合当今要求
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