鹤岗化拋剂-昆山韩铝化学2-氧化槽液

cmp技术的概念是1965年由manto提出。该技术是用于获取高的玻璃表面，如望远镜等。1988年ibm开始将cmp技术运用于4mdram 的制造中，而自从1991年ibm将cmp成功应用到64mdram 的生产中以后，cmp技术在各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，cmp通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛---度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高的表面抛光。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，氧化槽液，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，化拋剂价格，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。