三酸抛光工艺-三酸抛光-昆山韩铝化学表面

半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，三酸抛光厂家，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，三酸抛光，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

金属的化学抛光，常用、磷酸、---、---等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，三酸抛光剂，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、---混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。