化学抛光价格-化学抛光-昆山韩铝化学表面

抛光时，高速旋转的抛光轮（圆周速度在20米/秒以上）压向工件，使磨料对工件表面产生滚压和微量切削，从而获得光亮的加工表面，化学抛光，表面粗糙度一般可达ra0.63～0.01微米;当采用非油脂性的消光抛光剂时，可对光亮表面消光以---外观。 大批量生产轴承钢球时，化学抛光，常采用滚筒抛光的方法。粗抛时将大量钢球、石灰和磨料放在倾斜的罐状滚筒中，滚筒转动时，使钢球与磨料等在筒内随机地滚动碰撞以达到去除表面凸锋而减小表面粗糙度的目的，可去除0.01毫米左右的余量。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧---、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其---的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（cmp chemical mechanical polishing ）取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛---率较快，表面光洁度高，损伤低，化学抛光价格，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛---率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。