焦---酸钠-化学抛光-昆山韩铝化学

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，化学抛光，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，焦---酸钠，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

化学抛光：

可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造，以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较，化学抛光的优点是：不需外加电源，可以处理形状更为复杂的零件，生产等.但是化学抛光的表面，化学抛光价格，一般略低于电解抛光，溶液的调整和再生也比较困难，往往抛光过程中会析出氧---等有害气体。其实这点现在的技术也已经解决，市面上有如---两酸化学抛光高光光亮剂等抛光试剂，其不含，不会产生有危害的黄烟