依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，抛光剂，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，抛光剂生产商，则表面产生高损伤层。
为了---化学抛光的效果，必须使金属表面溶解，并在表面上形成液体膜或固体膜。因此，金属的化学抛光液必须具有溶解金属的能力和形成保护膜的能力。化学抛光液的基本组成一般包括腐蚀剂、氧化剂、添加剂和水。腐蚀剂是主要成分，如果零件在溶液中不溶解，抛光就不能进行。氧化剂和添加剂可抑制腐蚀过程，使反应朝有利于抛光的方向进行。水对抛光液浓度起调节作用，便于反应产物的扩散。
使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值risr- b709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗（2-3次） 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬pp或pe材料，首先使用 碱液清洗后再使用---清洗，抛光剂价格，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规化学品处理，抛光剂销售，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触化学品时，必须阅读、理解和遵循msds上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。
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