抛光剂-绍兴抛光剂-昆山韩铝化学

半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

铝及铝合金的化学抛光。为获得光亮的表面，必须严格控制抛光液xiao酸的含量。xiao酸含量过低，抛---度慢且抛光后表面光泽性差;xiao酸含量过高，容易发生鳞状腐蚀。lin酸浓度低时，不能获得光亮的表面，绍兴抛光剂，为了防止溶液被稀释，抛光前的零件表面应干燥。---和liu酸可以抑制点状腐蚀，使抛光表面均匀、细致。liu酸铵和尿素可以减少氧---的析出，并有助于---抛光。少量的铜离子可以防止过腐蚀，从而提高抛光表面的均匀性，抛光剂销售，但含量过高又会降低抛光表面的反光能力。铬酐可以提高铝锌铜合金的抛光，含锌、铜丝高的强度铝合金在不含铬酐的抛光液中，难以获得光亮的表面。