优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件
缺点1、化学抛光的不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到---。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色有害气体，对环境污染非常---。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧---、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其---的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（cmp chemical mechanical polishing ）取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛---率较快，表面光洁度高，两酸抛光剂，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，泉州两酸抛光，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，两酸抛光工艺，又可以得到较高的抛---率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，两酸抛光 公司，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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