抛光时,高速旋转的抛光轮(圆周速度在20米/秒以上)压向工件,使磨料对工件表面产生滚压和微量切削,从而获得光亮的加工表面,表面粗糙度一般可达ra0.63~0.01微米;当采用非油脂性的消光抛光剂时,可对光亮表面消光以---外观。 大批量生产轴承钢球时,宁波抛光剂,常采用滚筒抛光的方法。粗抛时将大量钢球、石灰和磨料放在倾斜的罐状滚筒中,抛光剂销售,滚筒转动时,使钢球与磨料等在筒内随机地滚动碰撞以达到去除表面凸锋而减小表面粗糙度的目的,可去除0.01毫米左右的余量。
原理:化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单,能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件,生产。化学抛光可作为电镀预处理工序,也可在抛光后辅助以---的防护措施直接使用。
化学抛光是一种将金相样品浸入调配的化学抛光液中,借化学药剂的溶解作用而得到的抛光表面的抛光方法。化学抛光是常见的金相样品抛光方法之一,这种方法操作简便,不需任何仪器设备,只需要选择适当的化学抛光液和掌握的抛光规范,就能快速得到较理想的光洁而无变形层的表面。
基本原理:
金属试样表面各组成相的电化学电位不同,形成了许多微电势,在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜,试样表面凸出部分由于粘膜薄,金属的溶解扩展速度较慢,抛光后的表面光滑,但形成有小的起伏波形,不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时,这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内,仍能观察到十分清晰的组织
这两个概念主要出半导体加工过程中,的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧---、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其---的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(cmp chemical mechanical polishing )取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛---率较快,抛光剂价格,表面光洁度高,损伤低,平整性好,抛光剂厂家,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛---率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。
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