化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以---的防护措施直接使用。为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，三酸抛光厂家，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。
半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，三酸抛光工艺，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时，含量应控制在规定的范围内，三酸抛光，通常按照化学分析结果调整，---要掌握添加的规律，并安全操作.有经验的化学抛光操作人员，可以从化学抛光表面光亮度判明含量，通常，三酸抛光剂，的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加，铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低，可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺陷.若含量太高，可能出现浅蓝色至橙色彩虹膜.
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