半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
后处理化学抛光后处理钢铁零件化学抛光,可以作为防护装饰性电镀的前处理工序,两酸抛光剂,也可以作为化学成膜如磷化发兰的前处理工序。如不进行电镀或化学成膜,而直接应用,芜湖两酸抛光,可喷涂---清漆或清漆,两酸抛光配方,烘干后有较好的防护装饰效果。若喷漆前浸防锈钝化水剂溶液,抗蚀防护性将会进一步提高。准备工作工具:抛光机、羊毛盘、海绵盘、超细纤维布、遮蔽膜、遮蔽胶带。材料:砂纸、抛光粗蜡,镜面蜡抛光作用:去除油漆表面氧化层、浅层的划痕、氧化造成的漆面失光等影响漆面外观的问题。抛光用力原则:初始抛光时使用中等偏上压力,使蜡有较好的切削力,后续收光可放松压力;抛光面积以一臂距 离为准,抛光完毕后及时擦除残余蜡斑。
使用方法:1. 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值risr- b709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注:使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌,建议采用石英加热器加热。2. 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗(2-3次) 烘干或后处理工序。建 浴:1、清槽 建议使用钢体结构内衬pp或pe材料,首先使用 碱液清洗后再使用---清洗,再用清水清洗2-3遍,后使用纯水清洗一遍;2、配制 原液使用。废水处理:废水处理按常规化学品处理,同时应遵循 有关的化学应用规则,注意事项:在接触化学品时,必须阅读、理解和遵循msds上 的急救和处理建议。贮存时注意:贮存处应阴凉、干燥、避光。
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