依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，三酸抛光工艺，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
由于铝和铝合金的易加工性能以及其表面经过处理后的高耐腐蚀性能，越来越多的铝合金制品被用于民用和工业用品中。为了提高铝合金制品的装饰性能，三明三酸抛光，需要对其表面进行各种处理，其中化学抛光是一种赋于铝合金表面靓丽的处理工艺。
传统的三酸化学抛光液是由70％磷酸、20％---、10％组成。在这种抛光液中是充当一种缓蚀剂的作用，三酸抛光剂，具有氧化性在使用时与铝进行反应而被还原成棕黄色的二氧---气体，二氧---对操作人员的---会造成---的伤害，同时二氧---也腐蚀工厂里内的机械设备。另外由于三酸抛光作业一般在100℃左右进行，易挥发和分解，通常的消耗速度过快，需频繁的对其含量进行分析和补加，造成铝合金工件批次间的光泽波动较大，也不利于自动线连续性操作。
铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件
(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观品质.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷，以---产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少，铝合金型材间距要加大，倾斜度要加大，使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积，避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大，三酸抛光价格，化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上，有可能使铝合金型材或导电杆上浮，铝合金型材浮出液---分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分，造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.---时，减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料，---装饰面上的气体尽快逸出.
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