半导体行业cmp技术还广泛的应用于集成电路(ic)和---规模集成电路中(ulsi)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,化学抛光,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
1:优点: 操作简便、快速,无需仪器。抛光后试样表面无变形层,可抛光经镶嵌后的试样,化学抛光价格,也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用,因此多数情况下能同时显示组织,抛光结束之后可以观察组织,不需再做侵蚀显示。
2:缺点:抛光液容易失效,溶液消耗快。抛光结果不是太佳,化学抛光,试样的棱角易受蚀损,抛光面易出现微小波纹起伏,高倍观察时受到影响
化学抛光:
可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造,以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较,化学抛光的优点是:不需外加电源,可以处理形状更为复杂的零件,生产等.但是化学抛光的表面,一般略低于电解抛光,溶液的调整和再生也比较困难,往往抛光过程中会析出氧---等有害气体。其实这点现在的技术也已经解决,焦---酸钠,市面上有如两酸化学抛光高光光亮剂等抛光试剂,其不含,不会产生有危害的黄烟
焦---酸钠-化学抛光-昆山韩铝化学1(查看)由昆山市韩铝化学表面材料有限公司提供。昆山市韩铝化学表面材料有限公司拥有---的服务与产品,不断地受到新老用户及业内人士的肯定和---。我们公司是商盟会员,---页面的商盟图标,可以直接与我们人员对话,愿我们今后的合作愉快!
联系我们时请一定说明是在100招商网上看到的此信息,谢谢!
本文链接:https://tztz302617.zhaoshang100.com/zhaoshang/264841791.html
关键词: