cmp技术的概念是1965年由manto提出。该技术是用于获取高的玻璃表面,如望远镜等。1988年ibm开始将cmp技术运用于4mdram 的制造中,而自从1991年ibm将cmp成功应用到64mdram 的生产中以后,cmp技术在各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法,cmp通过化学的和机械的综合作用,从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛---度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理,即用较软的材料来进行抛光以实现高的表面抛光。
温度.对化学抛光的效率和表面有重要的影响.温度高抛光加速,但产生较多的气体,有可能产生气体缺陷.对于新配制的化学抛光槽液,温度不宜太高;若溶铝量达到平衡时操作温度宜高些.随着溶铝量的增加,要维持一定的抛光效率就要提高槽液的温度,如果槽液温度超过设定的上限温度105℃,七台河化学抛光剂,仍不能得到满意的光亮度,应根据化验结果调整槽液浓度或相对密度.此外,还要注意保持槽液各处温度的均匀性.
注意事项根据我公---时间对抛光工艺的摸索与实践,化学抛光剂厂家,光亮剂在抛光液中几乎消耗相当细微,因此时视具体的情况配比补加光亮剂,新配抛光溶液抛光时间要短;温度偏高时,化学抛光剂生产商,抛光时间要短些,若抛光2min以上仍不光亮时,---察抛光时液面泡沫的多少,酌情添加光亮剂,泡沫少时可按适当比例添加部份光亮剂,化学抛光剂,泡沫多时只要按比例加入磷酸和---即可。生产一段时间后的溶液呈乳白色且粘度大,所以化学抛光后的产品需要反复清洗,否则酸液残留于工件表面将会导致表面产生白霜点。
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