依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（cmp）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛---率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
化抛剂是一种浅色浑浊液体，主要成分为不锈钢蚀刻剂、缓蚀剂、光亮剂。
不锈钢化抛全称为不锈钢表 面化学抛光剂详细内容主要成分：不锈钢蚀刻剂、缓蚀剂、光亮剂、表面活性剂、不锈钢表面修复剂、缓冲剂等。适用范围：适用奥氏体、马氏体等多种不锈钢的表面化学抛光物理化学性质：蚀刻 剂>;20%光亮剂>;10%修复 剂>;1.5%其他活性剂>;4%特 性：本产品是一种新型的不锈钢化抛剂；药剂具特 殊的缓冲体系，抛光效能稳定。该产品使用简单、方便，抛光亮度易控制 ，可根据处理的温度和时间来控制，温度高则时间短，反之温度低则时间长。抛光后的产品亮度均匀 一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。
基本原理：
金属试样表面各组成相的电化学电位不同，两酸抛光配方，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，两酸抛光厂家，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，扬州两酸抛光，但形成有小的起伏波形，两酸抛光工艺，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的组织
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